China Partícula de nanofio de dióxido de silício Fabricantes, Fornecedores, Fábrica

O pó de SiC é um material amplamente utilizado em diversas aplicações, como dispositivos eletrônicos, revestimentos e compósitos. Porém, sua aglomeração e dispersão inadequada em meios aquosos limitam sua eficiência. Portanto, técnicas de modificação de superfície são essenciais para melhorar as propriedades do pó de SiC. Este artigo discute dois métodos para a modificação da superfície do pó ultrafino de SiC: modificação PDADMAC e PSS e modificação do surfactante AC1830.

A fusão da nanotecnologia e da engenharia têxtil levou ao desenvolvimento e melhor desempenho de materiais inteligentes multifuncionais em vários campos de aplicação. Um avanço recente é a síntese em uma etapa da solução de revestimento por spray AgNPs/CNTs, que é usada para ancorar nanopartículas de prata em nanotubos de carbono de paredes múltiplas e aplicá-las em tecido não tecido para criar têxteis inteligentes multifuncionais.

Para dispersar o pó metálico em um líquido disperso, vários métodos podem ser usados, dependendo do tipo e das propriedades do pó metálico e da aplicação desejada do líquido disperso. Aqui estão alguns métodos comuns:

O revestimento de piso epóxi é comumente usado para decorar e proteger pisos de edifícios. No entanto, as superfícies destes revestimentos geram frequentemente eletricidade estática, que atrai poeira e bactérias. O efeito da eletricidade estática na saúde humana e na poeira e condutividade dos equipamentos não pode ser ignorado. Portanto, o desenvolvimento de revestimentos epóxi antiestáticos para pisos tornou-se um tema de pesquisa importante atualmente. Este artigo explorará a aplicação de pó de nanotubos de carbono em revestimentos de piso epóxi antiestáticos.

O micro pó esférico de sílica tem excelentes propriedades, como alta transparência, alto dielétrico, alta resistência à umidade, alta quantidade de enchimento, baixa expansão, baixo estresse e baixo coeficiente de atrito. É amplamente utilizado em muitos campos, como materiais de moldagem epóxi, catalisadores, painéis revestidos de cobre, adesivos e aeroespacial.

Com o desenvolvimento da tecnologia de circuito integrado (IC), a escala dos transistores de efeito de campo de semicondutores de óxido de metal à base de silício (MOS) (FETs) está se aproximando de seus limites físicos fundamentais. Os nanotubos de carbono (CNTs) são considerados materiais promissores na era pós -silício devido à sua espessura atômica e propriedades elétricas únicas, com o potencial de melhorar o desempenho do transistor e reduzir o consumo de energia. Os nanotubos de carbono alinhados com alta pureza (A-CNT) são uma escolha ideal para impulsionar os ICs avançados devido à sua alta densidade de corrente. No entanto, quando o comprimento do canal (LCH) diminui abaixo de 30Nm, o desempenho do FET A-CNT de portão única (SG) diminui significativamente, manifestou-se principalmente como características de comutação em deterioração e aumento da corrente de vazamento. Este artigo tem como objetivo revelar o mecanismo de degradação do desempenho no FET A-CNT por meio de pesquisas teóricas e experimentais e propor soluções.