China Agente antibacteriano de dióxido de titânio dopado com prata Fabricantes, Fornecedores, Fábrica

A microscopia eletrônica de transmissão de nanopartículas (TEM) é uma importante técnica de microscopia amplamente utilizada para observar e caracterizar a estrutura e morfologia de partículas e materiais em nanoescala.

Um dispersante é uma substância química usada para dispersar nanopartículas em solução ou sólido. Seu princípio básico é interagir com a superfície das nanopartículas, alterar as características da superfície, reduzir a atração entre as partículas e conseguir a dispersão das nanopartículas.

BN e AlN são materiais excepcionais que oferecem alta condutividade térmica e propriedades físicas únicas para diversas aplicações de engenharia. A condutividade térmica do BN é superior à do AlN, tornando o BN uma escolha superior para aplicações espaciais, eletrônica de alta temperatura e aplicações de gerenciamento térmico.

No mundo de hoje, a importância da nanotecnologia não pode ser exagerada. Isso levou a avanços significativos em vários campos, incluindo saúde, eletrônica e energia. Um desses avanços tecnológicos é o desenvolvimento de pó de dióxido de vanádio em nanoescala. Com as suas propriedades únicas, este pó tem o potencial de revolucionar a forma como vivemos as nossas vidas.

Com o desenvolvimento da tecnologia de circuito integrado (IC), a escala dos transistores de efeito de campo de semicondutores de óxido de metal à base de silício (MOS) (FETs) está se aproximando de seus limites físicos fundamentais. Os nanotubos de carbono (CNTs) são considerados materiais promissores na era pós -silício devido à sua espessura atômica e propriedades elétricas únicas, com o potencial de melhorar o desempenho do transistor e reduzir o consumo de energia. Os nanotubos de carbono alinhados com alta pureza (A-CNT) são uma escolha ideal para impulsionar os ICs avançados devido à sua alta densidade de corrente. No entanto, quando o comprimento do canal (LCH) diminui abaixo de 30Nm, o desempenho do FET A-CNT de portão única (SG) diminui significativamente, manifestou-se principalmente como características de comutação em deterioração e aumento da corrente de vazamento. Este artigo tem como objetivo revelar o mecanismo de degradação do desempenho no FET A-CNT por meio de pesquisas teóricas e experimentais e propor soluções.