SAT NANO é um excelente fabricante de pó de dissilicieto de tântalo na China. O pó de dissilicieto de tântalo é caracterizado pela estabilidade em altas temperaturas, excelente resistência à oxidação, resistência à corrosão, excelente condutividade térmica e bom desempenho eletrônico. O pó de dissilicieto de tântalo produzido pela SAT NAO é o mais vendido em vários países ao redor do mundo.
SAT NANO é um excelente fabricante de pó de siliceto de titânio na China. O pó de siliceto de titânio é caracterizado pela estabilidade em altas temperaturas, resistência à corrosão, excelente condutividade térmica e bom desempenho eletrônico. O pó de siliceto de titânio produzido pela SAT NAO é o mais vendido em vários países ao redor do mundo.
SAT NANO é um excelente fabricante de siliceto de háfnio em pó na China. O diboreto de háfnio é caracterizado pela estabilidade em altas temperaturas, resistência à corrosão, excelente condutividade térmica e bom desempenho eletrônico. O pó de siliceto de háfnio produzido pela SAT NAO é o mais vendido em vários países ao redor do mundo.
SAT NANO é um excelente fabricante de pó de siliceto de zircônio na China. O pó de dissilicieto de zircônio possui alta estabilidade térmica, dureza, resistência e excelente resistência à corrosão. Encontra aplicações em revestimentos de barreira térmica, materiais resistentes ao desgaste, materiais cerâmicos, materiais ópticos e materiais estruturais de alta temperatura. O pó de siliceto de zircônio produzido pela SAT NAO é o mais vendido em vários países ao redor do mundo.
SAT NANO é um excelente fabricante de pó de siliceto de molibdênio na China. O pó de molibdênio siliconizado oferece maior estabilidade térmica, resistência à oxidação, condutividade elétrica e resistência à corrosão, tornando-o valioso para uma ampla gama de aplicações nas indústrias aeroespacial, eletrônica, ambientes de alta temperatura, processamento químico e energia solar. O pó de siliceto de molibdênio produzido pela SAT NAO é o mais vendido em vários países ao redor do mundo.
