A modificação da superfície do pó de nitreto de silício é obtida principalmente através de métodos físicos e químicos para melhorar as propriedades físicas e químicas das partículas de nitreto de silício.
A modificação da superfície do pó de nitreto de silício é obtida principalmente através de métodos físicos e químicos para melhorar as propriedades físicas e químicas das partículas de nitreto de silício.
O cobre é diferente de metais como alumínio e níquel porque é difícil formar uma camada de passivação intrínseca densa e estável em sua superfície. Portanto, a superfície de cobre exposta será continuamente oxidada e corroída pelo oxigênio e vapor de água no ar. Quanto menor o tamanho da partícula e maior a área superficial específica do pó de cobre, mais fácil é oxidar rapidamente para produzir produtos como óxido cuproso (Cu2O) e óxido de cobre (CuO). Esta camada de isolamento de óxido reduz significativamente a condutividade do pó de cobre e dificulta a conexão de sinterização de partículas, resultando na degradação do desempenho da pasta condutora.
As nanopartículas de cobre atraíram muito interesse nos últimos anos devido a suas propriedades interessantes, preparação de baixo custo e muitas aplicações em potencial em catálise, líquidos de resfriamento ou tintas condutoras. Neste estudo, as nanopartículas de cobre foram sintetizadas por redução química de sulfato de cobre CUSO4 e boro -hidreto de sódio nabh ₄ na água sem proteção de gás inerte.
Com o desenvolvimento da tecnologia de circuito integrado (IC), a escala dos transistores de efeito de campo de semicondutores de óxido de metal à base de silício (MOS) (FETs) está se aproximando de seus limites físicos fundamentais. Os nanotubos de carbono (CNTs) são considerados materiais promissores na era pós -silício devido à sua espessura atômica e propriedades elétricas únicas, com o potencial de melhorar o desempenho do transistor e reduzir o consumo de energia. Os nanotubos de carbono alinhados com alta pureza (A-CNT) são uma escolha ideal para impulsionar os ICs avançados devido à sua alta densidade de corrente. No entanto, quando o comprimento do canal (LCH) diminui abaixo de 30Nm, o desempenho do FET A-CNT de portão única (SG) diminui significativamente, manifestou-se principalmente como características de comutação em deterioração e aumento da corrente de vazamento. Este artigo tem como objetivo revelar o mecanismo de degradação do desempenho no FET A-CNT por meio de pesquisas teóricas e experimentais e propor soluções.
O cobre revestido de grafeno e o cobre revestido de prata têm diferenças essenciais na condutividade, cada uma com suas próprias vantagens e desvantagens, e seus cenários aplicáveis também são diferentes.
